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找出高壓包兩個(gè)出線 用萬(wàn)用表電阻檔測(cè)量一、高壓包的作用。高壓包，正名是行輸出變壓器，也稱(chēng)為行包或行變，顯示器的高壓包和電視機(jī)的工作原理基本一致，其主要作用是產(chǎn)生陽(yáng)極高壓，另外提供聚焦、加速、柵極等各路電壓。注意偏轉(zhuǎn)電流的能量提供者并不是高壓包，而是S校正電容，在行管截止時(shí)，B+電壓通過(guò)高壓包、偏轉(zhuǎn)線圈對(duì)S電容充電，電流只是經(jīng)過(guò)高壓包而已。由于高壓包工作于高溫、高頻率、高電壓、大電流的狀態(tài)，加上外部環(huán)境潮濕或多塵等因素影響，使高壓包損壞幾率較高。二、引起高壓包損壞的病灶。1、包內(nèi)高壓濾波電容擊穿。2、包內(nèi)高壓線圈匝間短路。3、包內(nèi)高壓硅堆漏電或擊穿。4、包內(nèi)初次級(jí)線圈短路5、包內(nèi)聚焦組件老化，使聚焦及加速電壓不穩(wěn)定。6、包體絕緣性能下降，使高壓包對(duì)內(nèi)或?qū)ν獯蚧稹Ｈ�、與高壓包相關(guān)的關(guān)鍵詞及專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)。1、HV——陽(yáng)極高壓。隨著顯示器尺寸不同，HV電壓也不同。通常14/15寸機(jī)的HV值是24KV到25KV；17寸機(jī)是27KV到29KV，19寸和21寸機(jī)是30KV到35KV。2、FV——聚焦電壓，有時(shí)稱(chēng)為G4。FV電壓通常在HV端以電阻電位器分壓方式取得，電壓值是3KV到9KV。如果是雙聚焦的，就分為FV1和FV2，其實(shí)是內(nèi)部多設(shè)一組電位器而已。3、SV——加速極電壓，也稱(chēng)為G2。SV/G2電壓也從HV端分壓取得，其電壓值是300V到800V。注意有些高壓包不從HV端分壓輸出SV/G2電壓，而是在包內(nèi)另設(shè)繞組，或在行管C極將逆程峰值整流獲得，這樣做的目的是使SV/G2受到電路控制，方便工業(yè)裝配。注意在行管C極整流時(shí)獲得SV/G2電壓時(shí)，必須采用高速整流管，否則響應(yīng)不到逆程峰值，只能得到與B+一樣的電壓。4、DF——?jiǎng)討B(tài)聚焦。顯示器尺寸增大時(shí)，屏幕中央和四周的聚焦就容易變得不均勻，就需要加入動(dòng)態(tài)聚焦電路，使FV電壓在掃描到邊緣時(shí)增大。在雙聚焦顯象管中，動(dòng)聚通常加入到水平聚焦極中。其實(shí)就是一只10KV/102P電容接到FV而已。5、SFR——包內(nèi)聚焦組件中的FV/SV調(diào)整電位器冷端，通常是接地的，但有些機(jī)型將其用作信號(hào)取樣，在高壓變動(dòng)時(shí)使電路作出補(bǔ)償。6、HVR——包內(nèi)HV端取樣電阻的冷端。此電阻直接取樣于HV端，阻值大到必須兆歐表才能測(cè)量。其作用也是HV變動(dòng)檢測(cè)。7、HVC——包內(nèi)高壓濾波電容的冷端。通常此腳都被接地，但有些機(jī)型將其用作信號(hào)取樣，檢測(cè)高壓變動(dòng)。8、G1——柵極負(fù)電壓。通常在包內(nèi)繞組獲得，G1電壓值是-100V到-200V�？刂艷1電壓可控制光柵亮度，進(jìn)入顯象管的G1電壓是-30V到-100V，關(guān)機(jī)消亮點(diǎn)通常也在G1控制電路內(nèi)完成，使關(guān)機(jī)時(shí)G1負(fù)壓變低，顯象管就被截止了。注意有些機(jī)型的G1電壓是固定的甚至是接地的，它們的亮度控制方式是改變?nèi)龢岅帢O的電壓，關(guān)機(jī)消亮點(diǎn)方式是瞬間降低陰極電壓，光柵瞬時(shí)高亮，將高壓釋放掉。兩種亮度控制方式各有優(yōu)劣，調(diào)制G1可得到較大的亮度范圍，但期間白平衡不均勻；調(diào)制陰極可使亮度均勻變化而白平衡穩(wěn)定，但范圍較小。9、AFC——行逆程脈沖。AFC原意是自動(dòng)頻率控制，在顯示器中，送入掃描芯片的同步信號(hào)、CPU需要的行檢測(cè)信號(hào)和OSD菜單所需要的行脈沖，都泛指為AFC。AFC取樣可以在高壓包內(nèi)繞組輸出，也可以在行管C極用分壓電壓取得，后者故障率較高。10、FB——高壓或二次電源取樣信號(hào)。FB原意是頻率返回，也就是行回掃脈沖，在顯示器中，F(xiàn)B電壓常作為高壓包輸出電壓的參考點(diǎn)，反饋回二次電源，實(shí)現(xiàn)B+電壓穩(wěn)定輸出。有時(shí)FB信號(hào)也與AFC信號(hào)混在一起，并沒(méi)有特別要求要獨(dú)立取樣。11、ABL——自動(dòng)亮度控制。ABL端總是內(nèi)接高壓繞組的冷端，用來(lái)檢測(cè)HV的電流大小，當(dāng)亮度過(guò)大時(shí)，HV電流必然增大，ABL電路檢測(cè)到這個(gè)情況，就可作出反應(yīng)限制亮度再增加。建議維修人員配備100K電阻量程的萬(wàn)用表（MF10型）或兆歐表，就可測(cè)量ABL端到HV帽的電阻，來(lái)判斷高壓硅堆是否有短路或漏電；又可以測(cè)量包內(nèi)高壓電容是否漏電。注意10K電阻量程無(wú)法測(cè)量高壓硅堆和高壓電容。12、初次級(jí)繞組——接在高壓包B+輸入端和行管端的就是初級(jí)線圈，其他是次級(jí)線圈。初級(jí)線圈線徑大匝數(shù)也不多，發(fā)生故障幾率非常小；而次級(jí)高壓線包的線徑極小而匝數(shù)極多，就容易發(fā)生匝間短路。13、電感量——交流電流通過(guò)線圈而產(chǎn)生的感抗就是電感量。對(duì)直流電而言，線圈的阻抗為零（忽略線材本身的電阻率），但對(duì)于高頻信號(hào)，三幾圈的感抗也很大。電感量的單位是ML（毫亨）。14、正程和逆程——簡(jiǎn)單的說(shuō)行管導(dǎo)通時(shí)就是掃描正程，截止時(shí)為掃描逆程。兩者都有電流通過(guò)高壓包（正程時(shí)高壓包儲(chǔ)能，逆程時(shí)釋放能量）。15、正程和逆程整流——由于正程和逆程的峰值相差8到10倍，因此一個(gè)繞組采用不同的整流方式，所產(chǎn)生的電壓值也就相差8到10倍。正程整流的電壓低但電流大；逆程整流的電壓高而電流小，但兩者的輸出功率相同。16、繞組的極性——因?yàn)閽呙枵�程和逆程的峰值不同，繞組的輸出必須要區(qū)分正負(fù)極。如果高壓包不需改動(dòng)，那么繞組的極性是廠家在引腳中已經(jīng)決定了的；如果要在磁芯中加繞線圈，就不能不注意其極性了。以800*600*60的分辯率即37K行頻，在磁芯中繞一圈為例，將高壓包引腳朝下，磁芯對(duì)著自己，則左邊的線頭是正端，右邊的線頭是負(fù)端。將負(fù)端接地，在正端接以正整流可得到約20V電壓，接以負(fù)整流可得到-3V電壓；將正端接地，在負(fù)端接以正整流可得到3V電壓，接以負(fù)整流可得到-20V電壓。大家一定要將以上理解清楚，在加繞線圈時(shí)就可得心應(yīng)手。注意高電壓就低電流，反之亦然。以上電壓參數(shù)會(huì)因電路設(shè)計(jì)差異而有所不同，但具體差距并不太大，在繞線估算電壓時(shí)可以作為參考。17、高壓獨(dú)立——高壓包和行偏轉(zhuǎn)分離的電路形式。在傳統(tǒng)行輸出電路中，高壓電流和偏轉(zhuǎn)電流都要經(jīng)過(guò)行管，使之負(fù)擔(dān)較重，故障頻生，于是新型的設(shè)計(jì)將高壓電路獨(dú)立出來(lái)，可以設(shè)計(jì)出更高效的電路形式，實(shí)際上高壓獨(dú)立的高壓開(kāi)關(guān)管損壞機(jī)率非常低。18、高壓獨(dú)立的電路結(jié)構(gòu)——現(xiàn)在的高壓獨(dú)立電路大約有5種類(lèi)型。1）采用二次電源調(diào)整的單管輸出形式。如下圖，以SONY-200GS為例，170V電壓經(jīng)過(guò)二次電源降到約80V輸入高壓包，開(kāi)關(guān)管一只單獨(dú)的場(chǎng)效應(yīng)管，這種方式與傳統(tǒng)的行輸出相類(lèi)似。2）沒(méi)有二次電源的單管輸出形式。如下圖，以SONY-E220為例，80V電壓直接輸入高壓包，開(kāi)關(guān)管是一只單獨(dú)的場(chǎng)效應(yīng)管，這種方式要求開(kāi)關(guān)管的激勵(lì)控制電路，能控制較大的占空比，以得到較大的高壓調(diào)整范圍。3）采用高電壓的雙管對(duì)稱(chēng)輸出方式。如下圖，以EMC/CTX等機(jī)型較多采用，180V電壓直接輸入高壓包，再接入一只N型場(chǎng)效應(yīng)管，該管導(dǎo)通時(shí)初級(jí)線圈儲(chǔ)能；在初級(jí)線圈兩端反接一只P型場(chǎng)效應(yīng)管，輸入反相的激勵(lì)，在N型管截止時(shí)它就導(dǎo)通，將初級(jí)線圈能量快速釋放，次級(jí)就感應(yīng)出電壓。4）采用低電壓的雙管對(duì)稱(chēng)輸出方式。如下圖，以飛利浦機(jī)芯較多采用，80V電壓直接輸入高壓包，再接入一只N型場(chǎng)效應(yīng)管；另外在高壓包設(shè)一個(gè)繞組，其輸出接一只場(chǎng)效應(yīng)管。激勵(lì)信號(hào)被分成兩路，一路驅(qū)動(dòng)初級(jí)線圈開(kāi)關(guān)管，使之導(dǎo)通時(shí)高壓包儲(chǔ)能；另一路倒相后驅(qū)動(dòng)另外一只管，使之導(dǎo)通時(shí)高壓包可以快速釋放能量。它們之間的關(guān)系是一只導(dǎo)通則另一只截止。5）采用儲(chǔ)能變壓器的雙管輸出方式。如下圖，這種方式最為復(fù)雜，以三星、DELL機(jī)芯較多采用。190V電壓先輸入一只普通行管的C極，B極加以行激勵(lì)，E極就輸出以行頻變化的方波，峰值仍是190V，之后進(jìn)入儲(chǔ)能變壓器再到場(chǎng)效應(yīng)管，另外行管E極也接到高壓包初級(jí)，由高壓包出來(lái)后以一只放電電容接回行管C極。在場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)變壓器儲(chǔ)能，在場(chǎng)效應(yīng)管截止時(shí)變壓器通過(guò)高壓包、放電電容和阻尼管完成能量釋放。行管在此僅輸出以行頻變化的方波，提高效率，作用與一只二次電源管相當(dāng)，真正的開(kāi)關(guān)管是場(chǎng)效應(yīng)管。19、高壓獨(dú)立高壓包的繞組特點(diǎn)——由于在高壓包內(nèi)的電流近似于方波，效率很高，它的初級(jí)繞組圈數(shù)就設(shè)計(jì)得較少（比傳統(tǒng)高壓包初級(jí)少1到3倍匝數(shù)）；同時(shí)由于正程和逆程的差別較小，那么在磁芯上繞取線圈所得到的電壓就有所不同，與上述15、16項(xiàng)對(duì)比，無(wú)論繞組在哪頭接地，無(wú)論正整流還是負(fù)整流，所獲得的電壓值基本一樣（類(lèi)似于市電的交流變壓器輸出），也正是由于其初級(jí)匝數(shù)少，按照感應(yīng)比例，次級(jí)每匝將獲得較高的電壓，在800*600*60分辯率下，每圈的電壓是6V到8V，比傳統(tǒng)高壓包在正程時(shí)每圈僅獲得3V的電壓值要高。四、如何判斷高壓包是否損壞。根據(jù)高壓包病灶的6個(gè)類(lèi)型，損壞后的癥狀略有不同。1、包內(nèi)高壓電容擊穿。這是造成高壓包損壞的最大成因，大約有四成的高壓包損壞與它有關(guān)。包內(nèi)高壓電容的容量約為2700P，比顯象管錐體所形成的電容1600P高一些，兩個(gè)電容并聯(lián)在一起總?cè)萘烤陀?300P以上，可以幫助減少屏幕的呼吸效應(yīng)。由于包內(nèi)高壓電容的絕緣介質(zhì)的絕緣強(qiáng)度遠(yuǎn)及不上顯象管的玻璃，而且電極間距小，當(dāng)高壓過(guò)高或工作時(shí)間過(guò)長(zhǎng)就很容易發(fā)生擊穿。注意高壓電容擊穿后HV端對(duì)地阻值不一定為零，而是通常出現(xiàn)數(shù)千歐到數(shù)百千歐的阻值。這是因?yàn)殡娙輧?nèi)的絕緣介質(zhì)被高壓擊穿碳化后仍有一定阻值，將萬(wàn)用表設(shè)10K檔，測(cè)高壓帽對(duì)地或?qū)�HVC端的阻值，正常時(shí)為無(wú)窮大，如出現(xiàn)阻值，可判斷包內(nèi)高壓電容擊穿。高壓電容擊穿后使HV輸出短路，開(kāi)機(jī)則行電流巨大，通常會(huì)鎖機(jī)或出現(xiàn)間歇嘯叫，并且很容易燒行管。包內(nèi)高壓電容擊穿后，在通電瞬間繞組電流劇增，ABL端子所外接的電阻通常會(huì)過(guò)流燒焦，這是一個(gè)判斷其損壞的明顯表徵。2、包內(nèi)高壓繞組匝間短路。這也是經(jīng)常導(dǎo)致高壓包損壞的原因，由于包內(nèi)次級(jí)短路，造成行電流大增，輕則鎖機(jī)保護(hù)，重則燒行管。由于高壓繞組匝間短路后功率消耗都在其內(nèi)部發(fā)生，因此包體發(fā)熱嚴(yán)重，很容易判斷。如果被保護(hù)快速鎖機(jī)，就用低行壓供電使其繼續(xù)工作，誘使故障病灶出現(xiàn)，而且行電流不至于巨大，行管還是安全的。3、包內(nèi)高壓硅堆擊穿或漏電。高壓硅堆擊穿或漏電后，不經(jīng)整流的交流高壓加在濾波電容上，但電容不能隔離交流電壓，其結(jié)果相當(dāng)于短路，與高壓電容擊穿所造成的表象很接近，相比之下癥狀要輕一些，所以通常高壓硅堆損壞后，ABL電阻并不一定燒毀，但行電流一樣巨大。怎樣檢測(cè)高壓硅堆是否擊穿或漏電呢？只能使用兆歐表或帶有100K量程的萬(wàn)用表，將黑筆接地或ABL端（如果高壓包已拆離電路，就只能黑筆接ABL端），紅筆接高壓帽，正常時(shí)會(huì)有10兆歐左右阻值，（高壓硅堆導(dǎo)通的內(nèi)阻），將表筆對(duì)調(diào)，測(cè)量時(shí)表針會(huì)劃動(dòng)一下就歸零，（包內(nèi)高壓電容充放電），如果測(cè)得阻值較低（小于5兆歐），就基本可以確定包內(nèi)高壓硅堆漏電或擊穿了。4、包內(nèi)初次級(jí)繞組短路。這種癥狀就不需要多說(shuō)了，B+被直接短路到地了，結(jié)果與行管擊穿一樣。5、包內(nèi)聚焦組件老化。這種故障也很直觀，就是聚焦電壓或加速電壓不穩(wěn)，隨著開(kāi)機(jī)時(shí)間延長(zhǎng)，圖像聚焦越來(lái)越差。在排除了管座、G2濾波電容及機(jī)內(nèi)潮濕漏電后，故障仍然存在，就可以肯定聚焦組件損壞了。6、包體絕緣下降。這種情況在潮濕天氣或老機(jī)中經(jīng)常發(fā)生，表現(xiàn)為包體對(duì)外放電，輕則產(chǎn)生小電弧有嘶嘶聲，重則電弧大并有啪啪聲；如果包體對(duì)內(nèi)打火，就只聽(tīng)到啪啪聲而沒(méi)有電弧產(chǎn)生。因?yàn)楦邏悍烹姡琀V電壓瞬間下降，勢(shì)必造成圖像亮度及大小變動(dòng)，甚至鎖機(jī)或燒行管等。五、高壓損壞后的補(bǔ)救工作。高壓包的有些損壞情形是可以補(bǔ)救的。第5類(lèi)損壞情形，聚焦組件老化。現(xiàn)在大家可以買(mǎi)到一種單焦或雙焦的外接聚焦器，其中雙焦的還帶DF動(dòng)聚輸入。它的原理與包內(nèi)聚焦組件一樣。注意將聚焦組件取代后，原來(lái)的線頭要做好絕緣處理，用熱熔膠封口即可。第1類(lèi)損壞情形，包內(nèi)高壓電容擊穿。只要看到HVC端是接地的，該高壓包就可以修補(bǔ)恢復(fù)使用，而不需更換高壓包。在測(cè)得高壓帽對(duì)地電阻很低，并且HVC端接地后，就可大膽將高壓包挖補(bǔ)修復(fù)。方法很簡(jiǎn)單，就是將損壞的高壓電容去掉。用電鉆對(duì)著HVC端鉆孔，鉆頭大小隨意，一般我用6到8MM，順著HVC端子引線（有時(shí)HVC引線會(huì)橫著走到其它地方，不理它跟著找到盡頭）打孔深度不能超過(guò)1CM，否則打穿了高壓電容內(nèi)層，在填充絕緣物時(shí)就會(huì)不斷冒出氣泡，造成修補(bǔ)失敗。打孔的目的是將HVC端與外界隔離，使高壓封在包體內(nèi)。打好孔后就是最后也是最重要的一環(huán)——填充環(huán)氧樹(shù)脂。將高壓包倒著垂直放置，使引腳水平，環(huán)氧樹(shù)脂和固化劑按比例完全混合后，就可以倒入，份量最好是將引腳3MM以下全部封�。�目的是使HVC端距離外界更遠(yuǎn)一些），一天后可完全硬化，兩天達(dá)到最大強(qiáng)度，就可以上機(jī)使用了。如果HVC端不接地，可否修補(bǔ)呢？其實(shí)是可以的，問(wèn)題是如果HVC端是信號(hào)取樣，去掉后必須要另找替代取樣，或增加高壓電容獲取HVC端子，或在高壓包磁芯上繞線匹配后取得信號(hào)，其麻煩程度還不如改一只包算了。六、改高壓包的準(zhǔn)備工具。1、電容電感表。最要緊的是電感表，可以測(cè)量原包與改包的繞組電感量，如果兩者所有繞組電感量相差在10%以?xún)?nèi)，則成功率非常高。2、萬(wàn)用表。最好配備有100K電阻量程的表，可以測(cè)量高壓硅堆是否正常。3、50V/2A的外部直流隔離電源。之所以用50V的電壓，是因?yàn)樵撾妷褐递^安全之余，還能產(chǎn)生勉強(qiáng)夠的高壓，讓屏幕有顯示，如果還有其它的故障隱患，便可在故障擴(kuò)大之前看到并加以解決。七、改高壓包前的資料搜集。1、高壓包的引腳功能定義。高壓包一般是10個(gè)常規(guī)引腳，外加聚焦組件的2到5個(gè)引腳。將高壓包引腳面向自己，U型口朝下，順時(shí)針數(shù)分別是1到10腳。如下圖所示，有些高壓包的引腳沒(méi)有這么多，通常的看法是常規(guī)的10只腳是不變的，（現(xiàn)在較新的高壓包只有9只常規(guī)腳，連引腳相對(duì)位置都變小了，想改包的難度較大，這里不作討論），于是從第11腳開(kāi)始順延下去，沒(méi)有如果下圖所示的11腳，就將12腳定為11腳，如此類(lèi)推。至于圖中的第16腳，有些有空腳，內(nèi)接線包的絕緣層，有些則是ABL引腳，但絕大多數(shù)與ABL接在一起。0

回答者：shuishou7788992016-08-29 00:00